SISS23DN-T1-GE3
SISS23DN-T1-GE3
2473
MOSFET P-CH 20V 50A PPAK 1212-8S
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $1.98 |
| 10 | $1.73 |
| 1000 | $0.79 |
Технические характеристики
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Заряд затвора | 300nC @ 10V |
| Категория в каталоге | P-Channel Logic Level Gate FETs |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Группа | FETs - Single |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 900mV @ 250??A |
| Максимальная мощность | 57W |
| Поставляемая упаковка продукта | PowerPAK?? 1212-8S |
| Кейс\упаковка | 8-VDFN Exposed Pad |
| Серии | TrenchFET?? |
| Включенная служба передачи радиоданных | 4.5 mOhm @ 20A, 4.5V |
| Рекомендуемый продукт |
Vishay Siliconix - 12 V and 20 V P-Channel Gen III MOSFETs |
| Тип полевого транзистора | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 50A (Tc) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20V |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Техническое описание |
SISS23DN |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 8840pF @ 15V |
| Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Альтернативные названия | SISS23DN-T1-GE3CT |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
