SISA12ADN-T1-GE3
SISA12ADN-T1-GE3
MOSFET N-CH 30V 25A 1212-8
Объем заказа | Цена за единицу |
---|---|
1 | $2.00 |
10 | $1.74 |
1000 | $0.80 |
Технические характеристики
Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 2070pF @ 15V |
Поставляемая упаковка продукта | PowerPAK?? 1212-8 |
Характеристики полевого транзистора | Standard |
Включенная служба передачи радиоданных | 4.3 mOhm @ 10A, 10V |
Серии | TrenchFET?? |
Упаковка | Cut Tape (CT) |
Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Заряд затвора | 45nC @ 10V |
Альтернативные названия | SISA12ADN-T1-GE3CT |
Категория в каталоге | N-Channel Logic Level Gate FETs |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.2V @ 250??A |
Тип крепления | Surface Mount |
Группа | FETs - Single |
Минимальная упаковка шт. | 1 |
Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 25A (Tc) |
Категория | Discrete Semiconductor Products |
Кейс\упаковка | PowerPAK?? 1212-8 |
Техническое описание |
SISA12ADN-T1-GE3 |
Максимальная мощность | 28W |
Модули обучения обращения с продуктами |
30 V TrenchFET Gen IV MOSFET and PowerPAIR |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 30V |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
Товаров
КОРЗИНА ПУСТА