SIS413DN-T1-GE3
SIS413DN-T1-GE3
63656
MOSFET P-CH 30V 18A PPAK 1212-8
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $1.36 |
| 10 | $1.19 |
| 1000 | $0.54 |
Технические характеристики
| Группа | FETs - Single |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Заряд затвора | 110nC @ 10V |
| Максимальная мощность | 52W |
| Тип полевого транзистора | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Альтернативные названия | SIS413DN-T1-GE3CT |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 18A (Tc) |
| Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Техническое описание |
SIS413DN |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30V |
| Категория в каталоге | P-Channel Logic Level Gate FETs |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250??A |
| Кейс\упаковка | PowerPAK?? 1212-8 |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Серии | TrenchFET?? |
| Включенная служба передачи радиоданных | 9.4 mOhm @ 15A, 10V |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 4280pF @ 15V |
| Поставляемая упаковка продукта | PowerPAK?? 1212-8 |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
