logo
1St Line Electronics
+ 7 (495) 649 - 69 - 13
Часто задаваемые вопросы

SIRA06DP-T1-GE3

SIRA06DP-T1-GE3
876
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Объем заказа Цена за единицу
1 $2.70
10 $2.39
1000 $1.16

Технические характеристики

Характеристики полевого транзистора Standard
Упаковка Digi-Reel??  
Напряжение - Постоянный сток @ 25°C 40A (Tc)
Группа FETs - Single
Тип крепления Surface Mount
Категория Discrete Semiconductor Products
Серии TrenchFET??
Входная ёмкость (Ciss) @ Vds 3595pF @ 15V
Поставляемая упаковка продукта PowerPAK?? SO-8
Максимальная мощность 62.5W
Категория в  каталоге N-Channel Logic Level Gate FETs
Включенная служба передачи радиоданных 2.5 mOhm @ 15A, 10V
Заряд затвора 77nC @ 10V
Тип полевого транзистора MOSFET N-Channel, Metal Oxide
Напряжение сток-исток (Vdss) 30V
Vgs(th) (макс.) @ Id 2.2V @ 250??A
Модули обучения обращения с продуктами 30 V TrenchFET Gen IV MOSFET and PowerPAIR
Минимальная упаковка шт.   1
Техническое описание SIRA06DP
Кейс\упаковка PowerPAK?? SO-8
Альтернативные названия SIRA06DP-T1-GE3DKR

Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13

Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.

!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$

Товаров

КОРЗИНА ПУСТА

Личный кабинет

Официальный дистрибьютор

Official Distributer