SIRA06DP-T1-GE3
SIRA06DP-T1-GE3
876
MOSFET N-CH 30V 40A PPAK SO-8
Объем заказа | Цена за единицу |
---|---|
1 | $2.70 |
10 | $2.39 |
1000 | $1.16 |
Технические характеристики
Характеристики полевого транзистора | Standard |
Упаковка | Digi-Reel?? |
Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 40A (Tc) |
Группа | FETs - Single |
Тип крепления | Surface Mount |
Категория | Discrete Semiconductor Products |
Серии | TrenchFET?? |
Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 3595pF @ 15V |
Поставляемая упаковка продукта | PowerPAK?? SO-8 |
Максимальная мощность | 62.5W |
Категория в каталоге | N-Channel Logic Level Gate FETs |
Включенная служба передачи радиоданных | 2.5 mOhm @ 15A, 10V |
Заряд затвора | 77nC @ 10V |
Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 30V |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.2V @ 250??A |
Модули обучения обращения с продуктами |
30 V TrenchFET Gen IV MOSFET and PowerPAIR |
Минимальная упаковка шт. | 1 |
Техническое описание |
SIRA06DP |
Кейс\упаковка | PowerPAK?? SO-8 |
Альтернативные названия | SIRA06DP-T1-GE3DKR |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
Товаров
КОРЗИНА ПУСТА