SIR882DP-T1-GE3
SIR882DP-T1-GE3
3000
MOSFET N-CH 100V 60A PPAK SO-8
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 3000 | $2.41 |
Технические характеристики
| Группа | FETs - Single |
| Альтернативные названия | SIR882DP-T1-GE3TR SIR882DPT1GE3 |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серии | TrenchFET?? |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.8V @ 250??A |
| Категория в каталоге | N-Channel Standard FETs |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 60A (Tc) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100V |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Максимальная мощность | 83W |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 1930pF @ 50V |
| Характеристики полевого транзистора | Standard |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Заряд затвора | 58nC @ 10V |
| Кейс\упаковка | PowerPAK?? SO-8 |
| Минимальная упаковка шт. | 3,000 |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Техническое описание |
SIR882DP |
| Поставляемая упаковка продукта | PowerPAK?? SO-8 |
| Включенная служба передачи радиоданных | 8.7 mOhm @ 20A, 10V |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
