SIR412DP-T1-GE3
SIR412DP-T1-GE3
126
MOSFET N-CH 25V 20A PPAK SO-8
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $1.90 |
| 10 | $1.67 |
| 100 | $1.28 |
Технические характеристики
| Категория в каталоге | N-Channel Standard FETs |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Максимальная мощность | 15.6W |
| Включенная служба передачи радиоданных | 12 mOhm @ 10A, 10V |
| Поставляемая упаковка продукта | PowerPAK?? SO-8 |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 600pF @ 10V |
| Кейс\упаковка | PowerPAK?? SO-8 |
| Серии | TrenchFET?? |
| Группа | FETs - Single |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 20A (Tc) |
| Заряд затвора | 16nC @ 10V |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 25V |
| Альтернативные названия | SIR412DP-T1-GE3CT |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250??A |
| Характеристики полевого транзистора | Standard |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Техническое описание |
SIR412DP |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
