SIJ478DP-T1-GE3
SIJ478DP-T1-GE3
4600
MOSFET N-CH 80V 60A PPAK SO-8
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $3.76 |
| 10 | $3.32 |
| 1000 | $1.61 |
Технические характеристики
| Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 1855pF @ 40V |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 80V |
| Альтернативные названия | SIJ478DP-T1-GE3CT |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 60A (Tc) |
| Серии | TrenchFET® |
| Включенная служба передачи радиоданных | 8 mOhm @ 20A, 10V |
| Техническое описание |
SIJ478DP |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.6V @ 250µA |
| Заряд затвора | 54nC @ 10V |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Поставляемая упаковка продукта | PowerPAK® SO-8 |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Максимальная мощность | 62.5W |
| Кейс\упаковка | PowerPAK® SO-8 |
| Группа | FETs - Single |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
