SIHP8N50D-GE3
SIHP8N50D-GE3
822
MOSFET N-CH 500V 8.7A TO220AB
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $3.12 |
| 10 | $2.76 |
| 1000 | $1.34 |
Технические характеристики
| Характеристики полевого транзистора | Standard |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Тип крепления | Through Hole |
| Упаковка | Tube |
| Серии | - |
| Минимальная упаковка шт. | 1,000 |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 527pF @ 100V |
| Заряд затвора | 30nC @ 10V |
| Техническое описание |
Packaging Information SIHP8N50D TO-220AB Package Drawing |
| Кейс\упаковка | TO-220-3 |
| Поставляемая упаковка продукта | TO-220AB |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 500V |
| Группа | FETs - Single |
| Максимальная мощность | 156W |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 8.7A (Tc) |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5V @ 250µA |
| Включенная служба передачи радиоданных | 850 mOhm @ 4A, 10V |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
