SIHB12N60E-GE3
SIHB12N60E-GE3
158
MOSFET N-CH 600V 12A TO263
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $4.56 |
| 10 | $4.13 |
| 1000 | $2.14 |
Технические характеристики
| Упаковка | Bulk |
| Заряд затвора | 58nC @ 10V |
| Модули обучения обращения с продуктами |
High Voltage MOSFET E Series and PFC Device Selection |
| Поставляемая упаковка продукта | D2PAK |
| Альтернативные названия | SIHB12N60EGE3 |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Серии | - |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 12A (Tc) |
| Техническое описание |
SIHB12N60E |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 600V |
| Группа | FETs - Single |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA |
| Минимальная упаковка шт. | 1,000 |
| Максимальная мощность | 147W |
| Кейс\упаковка | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Включенная служба передачи радиоданных | 380 mOhm @ 6A, 10V |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 937pF @ 100V |
| Характеристики полевого транзистора | Standard |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
