SIA416DJ-T1-GE3
SIA416DJ-T1-GE3
550
MOSFET N-CH 100V 11.3A SC70-6L
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $1.64 |
| 10 | $1.43 |
| 1000 | $0.65 |
Технические характеристики
| Альтернативные названия | SIA416DJ-T1-GE3CT |
| Рекомендуемый продукт |
100 V TrenchFET® Power MOSFETs |
| Техническое описание |
SIA416DJ |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 295pF @ 50V |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100V |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Заряд затвора | 10nC @ 10V |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Группа | FETs - Single |
| Максимальная мощность | 19W |
| Серии | TrenchFET® |
| Включенная служба передачи радиоданных | 83 mOhm @ 3.2A, 10V |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Кейс\упаковка | PowerPAK® SC-70-6 |
| Поставляемая упаковка продукта | PowerPAK® SC-70-6 Single |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 11.3A (Tc) |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
