SI8816EDB-T2-E1
SI8816EDB-T2-E1
102495
MOSFET N-CH 30V MICRO FOOT
Объем заказа | Цена за единицу |
---|---|
1 | $1.28 |
10 | $1.01 |
1000 | $0.35 |
Технические характеристики
Максимальная мощность | 500mW |
Техническое описание |
SI8816EDB |
Альтернативные названия | SI8816EDB-T2-E1CT |
Поставляемая упаковка продукта | 4-Microfoot |
Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 195pF @ 15V |
Включенная служба передачи радиоданных | 109 mOhm @ 1A, 10V |
Тип крепления | Surface Mount |
Минимальная упаковка шт. | 1 |
Серии | TrenchFET?? |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.4V @ 250??A |
Упаковка | Cut Tape (CT) |
Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
Категория | Discrete Semiconductor Products |
Категория в каталоге | N-Channel Logic Level Gate FETs |
Группа | FETs - Single |
Кейс\упаковка | 4-XFBGA |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 30V |
Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Заряд затвора | 8nC @ 10V |
Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | - |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
Товаров
КОРЗИНА ПУСТА