SI8812DB-T2-E1
SI8812DB-T2-E1
400
MOSFET N-CH 20V MICROFOOT
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $1.02 |
| 10 | $0.86 |
| 1000 | $0.36 |
Технические характеристики
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20V |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Кейс\упаковка | 4-UFBGA |
| Группа | FETs - Single |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Альтернативные названия | SI8812DB-T2-E1DKR |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | - |
| Максимальная мощность | 500mW |
| Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate, 2.5V Drive |
| Техническое описание |
Si8812DB |
| Категория в каталоге | N-Channel Logic Level Gate FETs |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Серии | TrenchFET?? |
| Заряд затвора | 17nC @ 8V |
| Включенная служба передачи радиоданных | 59 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | - |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 250??A |
| Поставляемая упаковка продукта | 4-Microfoot |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Упаковка | Digi-Reel?? |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
