SI8802DB-T2-E1
SI8802DB-T2-E1
10759
MOSFET N-CH 8V MICROFOOT
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $0.94 |
| 10 | $0.80 |
| 1000 | $0.34 |
Технические характеристики
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Заряд затвора | 6.5nC @ 4.5V |
| Группа | FETs - Single |
| Поставляемая упаковка продукта | 4-Microfoot |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | - |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Техническое описание |
Si8802DB |
| Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Категория в каталоге | N-Channel Logic Level Gate FETs |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 8V |
| Включенная служба передачи радиоданных | 54 mOhm @ 1A, 4.5V |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 700mV @ 250??A |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Серии | TrenchFET?? |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Кейс\упаковка | 4-XFBGA |
| Максимальная мощность | 500mW |
| Альтернативные названия | SI8802DB-T2-E1CT |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | - |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
