SI8461DB-T2-E1
SI8461DB-T2-E1
3000
MOSFET P-CH 20V MICROFOOT
Объем заказа | Цена за единицу |
---|---|
3000 | $0.48 |
Технические характеристики
Категория | Discrete Semiconductor Products |
Серии | TrenchFET® |
Включенная служба передачи радиоданных | 100 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Поставляемая упаковка продукта | 4-Microfoot |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 250µA |
Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | - |
Заряд затвора | 24nC @ 8V |
Кейс\упаковка | 4-XFBGA, CSPBGA |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 20V |
Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 610pF @ 10V |
Тип полевого транзистора | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
Минимальная упаковка шт. | 3,000 |
Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
Максимальная мощность | 780mW |
Группа | FETs - Single |
Альтернативные названия | SI8461DB-T2-E1TR SI8461DBT2E1 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Техническое описание |
SI8461DB |
Тип крепления | Surface Mount |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
Товаров
КОРЗИНА ПУСТА