SI8439DB-T1-E1
SI8439DB-T1-E1
MOSFET P-CH 8V MICROFOOT
Объем заказа | Цена за единицу |
---|---|
1 | $1.84 |
Технические характеристики
Напряжение сток-исток (Vdss) | 8V |
Включенная служба передачи радиоданных | 25 mOhm @ 1.5A, 4.5V |
Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | - |
Альтернативные названия | SI8439DB-T1-E1CT |
Тип полевого транзистора | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
Поставляемая упаковка продукта | 4-Microfoot |
Тип крепления | Surface Mount |
Категория | Discrete Semiconductor Products |
Техническое описание |
SI8439DB |
Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate, 1.2V Drive |
Упаковка | Cut Tape (CT) |
Минимальная упаковка шт. | 1 |
Кейс\упаковка | 4-UFBGA |
Серии | TrenchFET® |
Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | - |
Максимальная мощность | 1.1W |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 800mV @ 250µA |
Группа | FETs - Single |
Заряд затвора | 50nC @ 4.5V |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
Товаров
КОРЗИНА ПУСТА