SI7998DP-T1-GE3
SI7998DP-T1-GE3
3000
MOSFET 2N-CH 30V 25A PPAK SO-8
Объем заказа | Цена за единицу |
---|---|
3000 | $1.42 |
Технические характеристики
Минимальная упаковка шт. | 3,000 |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Заряд затвора | 26nC @ 10V |
Максимальная мощность | 22W, 40W |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 250µA |
Альтернативные названия | SI7998DP-T1-GE3-ND SI7998DP-T1-GE3TR SI7998DPT1GE3 |
Группа | FETs - Arrays |
Включенная служба передачи радиоданных | 9.3 mOhm @ 15A, 10V |
Серии | TrenchFET® |
Категория | Discrete Semiconductor Products |
Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 1100pF @ 15V |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 30V |
Кейс\упаковка | PowerPAK® SO-8 Dual |
Тип крепления | Surface Mount |
Тип полевого транзистора | 2 N-Channel (Dual) |
Техническое описание |
SI7998DP |
Поставляемая упаковка продукта | PowerPAK® SO-8 Dual |
Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 25A, 30A |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
Товаров
КОРЗИНА ПУСТА