SI7900AEDN-T1-GE3
SI7900AEDN-T1-GE3
MOSFET 2N-CH 20V 6A PPAK 1212-8
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $2.70 |
| 10 | $2.39 |
| 1000 | $1.16 |
Технические характеристики
| Тип крепления | Surface Mount |
| Максимальная мощность | 1.5W |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 6A |
| Техническое описание |
SI7900AEDN |
| Группа | FETs - Arrays |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | - |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 900mV @ 250µA |
| Заряд затвора | 16nC @ 4.5V |
| Кейс\упаковка | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Включенная служба передачи радиоданных | 26 mOhm @ 8.5A, 4.5V |
| Альтернативные названия | SI7900AEDN-T1-GE3CT |
| Поставляемая упаковка продукта | PowerPAK® 1212-8 Dual |
| Серии | TrenchFET® |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20V |
| Тип полевого транзистора | 2 N-Channel (Dual) Common Drain |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
