SI7892BDP-T1-E3
SI7892BDP-T1-E3
1476
MOSFET N-CH 30V 15A PPAK SO-8
Объем заказа | Цена за единицу |
---|---|
1 | $3.56 |
10 | $3.21 |
1000 | $1.66 |
Технические характеристики
Альтернативные названия | SI7892BDP-T1-E3CT |
Максимальная мощность | 1.8W |
Упаковка | Cut Tape (CT) |
Включенная служба передачи радиоданных | 4.2 mOhm @ 25A, 10V |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 30V |
Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
Группа | FETs - Single |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA |
Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 15A (Ta) |
Кейс\упаковка | PowerPAK® SO-8 |
Минимальная упаковка шт. | 1 |
Техническое описание |
Si7892BDP |
Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 3775pF @ 15V |
Тип крепления | Surface Mount |
Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Заряд затвора | 40nC @ 4.5V |
Серии | TrenchFET® |
Категория | Discrete Semiconductor Products |
Поставляемая упаковка продукта | PowerPAK® SO-8 |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
Товаров
КОРЗИНА ПУСТА