SI4966DY-T1-E3
SI4966DY-T1-E3
1385
MOSFET 2N-CH 20V 8SOIC
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $4.04 |
| 10 | $3.65 |
| 1000 | $1.89 |
Технические характеристики
| Заряд затвора | 50nC @ 4.5V |
| Серии | TrenchFET?? |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Максимальная мощность | 2W |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | - |
| Кейс\упаковка | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.5V @ 250??A |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Техническое описание |
SI4966DY |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Категория в каталоге | N-Channel Logic Level Gate FETs |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | - |
| Поставляемая упаковка продукта | 8-SO |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20V |
| Альтернативные названия | SI4966DY-T1-E3CT |
| Группа | FETs - Arrays |
| Включенная служба передачи радиоданных | 25 mOhm @ 7.1A, 4.5V |
| Тип полевого транзистора | 2 N-Channel (Dual) |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
