SI4925BDY-T1-E3
SI4925BDY-T1-E3
20000
MOSFET 2P-CH 30V 5.3A 8-SOIC
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 2500 | $1.07 |
Технические характеристики
| Группа | FETs - Arrays |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Минимальная упаковка шт. | 2,500 |
| Кейс\упаковка | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Поставляемая упаковка продукта | 8-SO |
| Серии | TrenchFET® |
| Максимальная мощность | 1.1W |
| Заряд затвора | 50nC @ 10V |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Включенная служба передачи радиоданных | 25 mOhm @ 7.1A, 10V |
| Техническое описание |
SI4925BDY |
| Тип полевого транзистора | 2 P-Channel (Dual) |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | - |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30V |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Альтернативные названия | SI4925BDY-T1-E3TR SI4925BDYT1E3 |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 5.3A |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
