SI4800BDY-T1-GE3
SI4800BDY-T1-GE3
2500
MOSFET N-CH 30V 6.5A 8-SOIC
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 2500 | $0.61 |
Технические характеристики
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | - |
| Включенная служба передачи радиоданных | 18.5 mOhm @ 9A, 10V |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30V |
| Группа | FETs - Single |
| Альтернативные названия | SI4800BDY-T1-GE3TR SI4800BDYT1GE3 |
| Поставляемая упаковка продукта | 8-SO |
| Минимальная упаковка шт. | 2,500 |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Максимальная мощность | 1.3W |
| Техническое описание |
Si4800BDY |
| Кейс\упаковка | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.8V @ 250µA |
| Серии | TrenchFET® |
| Заряд затвора | 13nC @ 5V |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 6.5A (Ta) |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
