SI4420BDY-T1-GE3
SI4420BDY-T1-GE3
679
MOSFET N-CH 30V 9.5A 8-SOIC
Объем заказа | Цена за единицу |
---|---|
1 | $1.82 |
10 | $1.59 |
500 | $0.91 |
Технические характеристики
Максимальная мощность | 1.4W |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 30V |
Группа | FETs - Single |
Тип крепления | Surface Mount |
Кейс\упаковка | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250??A |
Включенная служба передачи радиоданных | 8.5 mOhm @ 13.5A, 10V |
Категория | Discrete Semiconductor Products |
Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 9.5A (Ta) |
Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
Поставляемая упаковка продукта | 8-SO |
Альтернативные названия | SI4420BDY-T1-GE3CT |
Заряд затвора | 50nC @ 10V |
Категория в каталоге | N-Channel Logic Level Gate FETs |
Техническое описание |
Si4420BDY |
Серии | TrenchFET?? |
Минимальная упаковка шт. | 1 |
Упаковка | Cut Tape (CT) |
Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | - |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
Товаров
КОРЗИНА ПУСТА