SI4162DY-T1-GE3
SI4162DY-T1-GE3
2500
MOSFET N-CH 30V 19.3A 8-SOIC
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 2500 | $0.77 |
Технические характеристики
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Минимальная упаковка шт. | 2,500 |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Поставляемая упаковка продукта | 8-SO |
| Максимальная мощность | 5W |
| Техническое описание |
SI4162DY |
| Заряд затвора | 30nC @ 10V |
| Характеристики полевого транзистора | Standard |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA |
| Кейс\упаковка | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 30V |
| Группа | FETs - Single |
| Альтернативные названия | SI4162DY-T1-GE3-ND SI4162DY-T1-GE3TR SI4162DYT1GE3 |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Включенная служба передачи радиоданных | 7.9 mOhm @ 20A, 10V |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 1155pF @ 15V |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 19.3A (Tc) |
| Серии | TrenchFET® |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
