SI4100DY-T1-GE3
SI4100DY-T1-GE3
2470
MOSFET N-CH 100V 6.8A 8-SOIC
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $3.02 |
| 10 | $2.67 |
| 1000 | $1.29 |
Технические характеристики
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 600pF @ 50V |
| Упаковка | Digi-Reel?? |
| Техническое описание |
SI4100DY |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Характеристики полевого транзистора | Standard |
| Включенная служба передачи радиоданных | 63 mOhm @ 4.4A, 10V |
| Серии | TrenchFET?? |
| Кейс\упаковка | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.5V @ 250??A |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 6.8A (Tc) |
| Категория в каталоге | N-Channel Standard FETs |
| Группа | FETs - Single |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Максимальная мощность | 6W |
| Поставляемая упаковка продукта | 8-SO |
| Заряд затвора | 20nC @ 10V |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 100V |
| Альтернативные названия | SI4100DY-T1-GE3DKR |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
