SI3499DV-T1-GE3
SI3499DV-T1-GE3
12080
MOSFET P-CH 8V 5.3A 6-TSOP
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $2.30 |
| 10 | $2.04 |
| 1000 | $0.99 |
Технические характеристики
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate, 1.5V Drive |
| Техническое описание |
SI3499DV |
| Максимальная мощность | 1.1W |
| Поставляемая упаковка продукта | 6-TSOP |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 8V |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 750mV @ 250µA |
| Включенная служба передачи радиоданных | 23 mOhm @ 7A, 4.5V |
| Альтернативные названия | SI3499DV-T1-GE3CT |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | - |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 5.3A (Ta) |
| Кейс\упаковка | 6-TSOP (0.065", 1.65mm Width) |
| Заряд затвора | 42nC @ 4.5V |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Группа | FETs - Single |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Тип полевого транзистора | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
| Серии | TrenchFET® |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
