SI3460DV-T1-E3
SI3460DV-T1-E3
MOSFET N-CH 20V 5.1A 6TSOP
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $3.72 |
| 10 | $3.30 |
Технические характеристики
| Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Альтернативные названия | SI3460DV-T1-E3CT |
| Техническое описание |
SI3460DV |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | - |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 450mV @ 1mA (Min) |
| Заряд затвора | 20nC @ 4.5V |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 5.1A (Ta) |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Поставляемая упаковка продукта | 6-TSOP |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Серии | TrenchFET® |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20V |
| Группа | FETs - Single |
| Кейс\упаковка | 6-TSOP (0.065", 1.65mm Width) |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Максимальная мощность | 1.1W |
| Включенная служба передачи радиоданных | 27 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
