SI3460DDV-T1-GE3
SI3460DDV-T1-GE3
1610
MOSFET N-CH 20V 7.9A 6-TSOP
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $0.96 |
| 10 | $0.82 |
| 1000 | $0.35 |
Технические характеристики
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Кейс\упаковка | 6-TSOP (0.065", 1.65mm Width) |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Включенная служба передачи радиоданных | 28 mOhm @ 5.1A, 4.5V |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 20V |
| Группа | FETs - Single |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Поставляемая упаковка продукта | 6-TSOP |
| Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Серии | TrenchFET® |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 7.9A (Tc) |
| Техническое описание |
SI3460DDV |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 250µA |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Максимальная мощность | 2.7W |
| Заряд затвора | 18nC @ 8V |
| Альтернативные названия | SI3460DDV-T1-GE3CT |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 666pF @ 10V |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
