SI2319DS-T1-E3
SI2319DS-T1-E3
203096
MOSFET P-CH 40V 2.3A SOT23-3
Объем заказа | Цена за единицу |
---|---|
1 | $1.72 |
10 | $1.51 |
1000 | $0.69 |
Технические характеристики
Тип крепления | Surface Mount |
Максимальная мощность | 750mW |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 40V |
Кейс\упаковка | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 470pF @ 20V |
Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
Поставляемая упаковка продукта | SOT-23-3 (TO-236) |
Включенная служба передачи радиоданных | 82 mOhm @ 3A, 10V |
Заряд затвора | 17nC @ 10V |
Тип полевого транзистора | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250??A |
Серии | TrenchFET?? |
Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 2.3A (Ta) |
Категория в каталоге | P-Channel Logic Level Gate FETs |
Альтернативные названия | SI2319DS-T1-E3CT |
Минимальная упаковка шт. | 1 |
Группа | FETs - Single |
Техническое описание |
SI2319DS |
Категория | Discrete Semiconductor Products |
Упаковка | Cut Tape (CT) |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
Товаров
КОРЗИНА ПУСТА