SI2309CDS-T1-E3
SI2309CDS-T1-E3
1297
MOSFET P-CH 60V 1.6A SOT23-3
Объем заказа | Цена за единицу |
---|---|
1 | $1.30 |
10 | $1.09 |
1000 | $0.46 |
Технические характеристики
Поставляемая упаковка продукта | SOT-23-3 (TO-236) |
Минимальная упаковка шт. | 1 |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 60V |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA |
Техническое описание |
SI2309CDS |
Тип полевого транзистора | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
Максимальная мощность | 1.7W |
Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
Серии | TrenchFET® |
Тип крепления | * |
Упаковка | Cut Tape (CT) |
Категория | Discrete Semiconductor Products |
Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 210pF @ 30V |
Группа | FETs - Single |
Кейс\упаковка | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Заряд затвора | 4.1nC @ 4.5V |
Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 1.6A (Tc) |
Включенная служба передачи радиоданных | 345 mOhm @ 1.25A, 10V |
Альтернативные названия | SI2309CDS-T1-E3CT |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
Товаров
КОРЗИНА ПУСТА