SI2308BDS-T1-GE3
SI2308BDS-T1-GE3
105000
MOSFET N-CH 60V 2.3A SOT23-3
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 3000 | $0.36 |
Технические характеристики
| Кейс\упаковка | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Техническое описание |
SI2308BDS |
| Включенная служба передачи радиоданных | 156 mOhm @ 1.9A, 10V |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 3V @ 250µA |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Заряд затвора | 6.8nC @ 10V |
| Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Максимальная мощность | 1.66W |
| Альтернативные названия | SI2308BDS-T1-GE3TR SI2308BDST1GE3 |
| Группа | FETs - Single |
| Минимальная упаковка шт. | 3,000 |
| Серии | TrenchFET® |
| Поставляемая упаковка продукта | SOT-23-3 (TO-236) |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 190pF @ 30V |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60V |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 2.3A (Tc) |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
