SI2305CDS-T1-GE3
SI2305CDS-T1-GE3
9000
MOSFET P-CH 8V 5.8A SOT23-3
Объем заказа | Цена за единицу |
---|---|
3000 | $0.27 |
Технические характеристики
Категория | Discrete Semiconductor Products |
Заряд затвора | 30nC @ 8V |
Минимальная упаковка шт. | 3,000 |
Включенная служба передачи радиоданных | 35 mOhm @ 4.4A, 4.5V |
Группа | FETs - Single |
Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
Поставляемая упаковка продукта | SOT-23-3 (TO-236) |
Серии | TrenchFET® |
Упаковка | Tape & Reel (TR) |
Максимальная мощность | 1.7W |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 1V @ 250µA |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 8V |
Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 960pF @ 4V |
Тип крепления | Surface Mount |
Техническое описание |
SI2305CDS |
Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 5.8A (Tc) |
Альтернативные названия | SI2305CDS-T1-GE3-ND SI2305CDS-T1-GE3TR SI2305CDST1GE3 |
Тип полевого транзистора | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
Кейс\упаковка | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
Товаров
КОРЗИНА ПУСТА