logo
1St Line Electronics
+ 7 (495) 649 - 69 - 13
Часто задаваемые вопросы

MUN5216DW1T1G

MUN5216DW1T1G
42942
TRANS 2NPN PREBIAS 0.25W SOT363
Объем заказа Цена за единицу
1 $0.48
10 $0.39
1000 $0.09

Технические характеристики

Максимальная мощность 250mW
Резистор в цепи базы (R1) (Ом) 4.7k
Коэффициент усиления по постоянному току, Напряжение Эмиттера 160 @ 5mA, 10V
Кейс\упаковка 6-TSSOP, SC-88, SOT-363
Максимальное напряжение для токосъемника 100mA
Упаковка Digi-Reel®  
Техническое описание MUN5216DW1, NSBC143TDXV6
Разработка\технические характеристики системы персональной связи Copper Wire 08/Jun/2009
Группа Transistors (BJT) - Arrays, Pre-Biased
Напряжение Эмиттера, режим насыщения (макс.) @ Ib, Ic 250mV @ 1mA, 10mA
Резистор эмиттер-база (R2) (Ом) -
Альтернативные названия MUN5216DW1T1GOSDKR
Категория Discrete Semiconductor Products
Тип транзистора 2 NPN - Pre-Biased (Dual)
Тип крепления Surface Mount
Токосъёмник (макс. отсечение) 500nA
Переходная частота -
Поставляемая упаковка продукта SC-88/SC70-6/SOT-363
Минимальная упаковка шт.   1
Максимальное разрывное напряжение эмиттера 50V
Серии -

Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13

Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.

!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$

Товаров

КОРЗИНА ПУСТА

Личный кабинет

Официальный дистрибьютор

Official Distributer