MMUN2111LT1G
MMUN2111LT1G
TRANS PREBIAS PNP 246MW SOT23-3
Объем заказа | Цена за единицу |
---|---|
1 | $0.26 |
10 | $0.24 |
1000 | $0.05 |
Технические характеристики
Коэффициент усиления по постоянному току, Напряжение Эмиттера | 35 @ 5mA, 10V |
Поставляемая упаковка продукта | SOT-23-3 (TO-236) |
Кейс\упаковка | TO-236-3, SC-59, SOT-23-3 |
Напряжение Эмиттера, режим насыщения (макс.) @ Ib, Ic | 250mV @ 300µA, 10mA |
Минимальная упаковка шт. | 1 |
Группа | Transistors (BJT) - Single, Pre-Biased |
Максимальное напряжение для токосъемника | 100mA |
Максимальная мощность | 246mW |
Упаковка | Cut Tape (CT) |
Переходная частота | - |
Резистор в цепи базы (R1) (Ом) | 10k |
Тип крепления | Surface Mount |
Токосъёмник (макс. отсечение) | 500nA |
Серии | - |
Максимальное разрывное напряжение эмиттера | 50V |
Категория | Discrete Semiconductor Products |
Разработка\технические характеристики системы персональной связи |
Gold to Copper Wire 14/Oct/2008 Glue Mount Process 11/July/2008 |
Резистор эмиттер-база (R2) (Ом) | 10k |
Альтернативные названия | MMUN2111LT1GOSCT |
Техническое описание |
MUN(2,5)111, MMUN2111L, DTA114Exx, NSBA114EF3 |
Тип транзистора | PNP - Pre-Biased |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
Товаров
КОРЗИНА ПУСТА