IRLR3636TRPBF
IRLR3636TRPBF
24000
MOSFET N-CH 60V 50A DPAK
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 2000 | $1.55 |
Технические характеристики
| Группа | FETs - Single |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Максимальная мощность | 143W |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 3779pF @ 50V |
| Включенная служба передачи радиоданных | 6.8 mOhm @ 50A, 10V |
| Техническое описание |
IRL(R,U)3636PBF |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Заряд затвора | 49nC @ 4.5V |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60V |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 100µA |
| Альтернативные названия | IRLR3636TRPBFTR |
| Поставляемая упаковка продукта | D-Pak |
| Кейс\упаковка | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Минимальная упаковка шт. | 2,000 |
| Серии | HEXFET® |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Модули обучения обращения с продуктами |
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 50A (Tc) |
| Установка персональной сети передачи данных |
Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
