IRLR3636PBF
IRLR3636PBF
205
MOSFET N-CH 60V 50A D-PAK
Объем заказа | Цена за единицу |
---|---|
1 | $3.86 |
10 | $3.48 |
1000 | $1.80 |
Технические характеристики
Минимальная упаковка шт. | 75 |
Серии | HEXFET?? |
Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 3779pF @ 50V |
Поставляемая упаковка продукта | D-Pak |
Группа | FETs - Single |
Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 50A (Tc) |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.5V @ 100??A |
Включенная служба передачи радиоданных | 6.8 mOhm @ 50A, 10V |
Упаковка | Tube |
Категория в каталоге | N-Channel Logic Level Gate FETs |
Установка персональной сети передачи данных |
Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 |
Максимальная мощность | 143W |
Категория | Discrete Semiconductor Products |
Кейс\упаковка | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 60V |
Ресурсы исполнения |
IRLR3636PBF Saber Model IRLR3636PBF Spice Model |
Техническое описание |
IRL(R,U)3636PBF |
Тип крепления | Surface Mount |
Модули обучения обращения с продуктами |
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
Заряд затвора | 49nC @ 4.5V |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
Товаров
КОРЗИНА ПУСТА