IRL6372TRPBF
IRL6372TRPBF
3947
MOSFET 2N-CH 30V 8.1A 8SOIC
Объем заказа | Цена за единицу |
---|---|
1 | $1.98 |
10 | $1.74 |
1000 | $0.79 |
Технические характеристики
Поставляемая упаковка продукта | 8-SO |
Установка персональной сети передачи данных |
Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 |
Модули обучения обращения с продуктами |
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below |
Максимальная мощность | 2W |
Включенная служба передачи радиоданных | 17.9 mOhm @ 8.1A, 4.5V |
Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 8.1A |
Серии | HEXFET® |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 30V |
Кейс\упаковка | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Альтернативные названия | IRL6372TRPBFCT |
Тип полевого транзистора | 2 N-Channel (Dual) |
Техническое описание |
IRL6372PbF |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.1V @ 10µA |
Категория | Discrete Semiconductor Products |
Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 1020pF @ 25V |
Заряд затвора | 11nC @ 4.5V |
Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
Тип крепления | Surface Mount |
Группа | FETs - Arrays |
Упаковка | Cut Tape (CT) |
Минимальная упаковка шт. | 1 |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
Товаров
КОРЗИНА ПУСТА