IRL6342TRPBF
IRL6342TRPBF
10073
MOSFET N-CH 30V 9.9A 8SOIC
Объем заказа | Цена за единицу |
---|---|
1 | $1.48 |
10 | $1.25 |
1000 | $0.53 |
Технические характеристики
Серии | HEXFET® |
Максимальная мощность | 2.5W |
Тип крепления | Surface Mount |
Установка персональной сети передачи данных |
Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 |
Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 1025pF @ 25V |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.1V @ 10µA |
Упаковка | Digi-Reel® |
Модули обучения обращения с продуктами |
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below |
Включенная служба передачи радиоданных | 14.6 mOhm @ 9.9A, 4.5V |
Группа | FETs - Single |
Заряд затвора | 11nC @ 4.5V |
Кейс\упаковка | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Техническое описание |
IRL6342PBF |
Минимальная упаковка шт. | 1 |
Ресурсы исполнения |
IRL6342PBF Saber Model IRL6342PBF Spice Model |
Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 9.9A (Ta) |
Поставляемая упаковка продукта | 8-SO |
Альтернативные названия | IRL6342TRPBFDKR |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 30V |
Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
Категория | Discrete Semiconductor Products |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
Товаров
КОРЗИНА ПУСТА