IRFS59N10DPBF
IRFS59N10DPBF
1806
MOSFET N-CH 100V 59A D2PAK
Объем заказа | Цена за единицу |
---|---|
1 | $7.90 |
10 | $7.06 |
1000 | $3.95 |
Технические характеристики
Кейс\упаковка | TO-263-3, D??Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серии | HEXFET?? |
Минимальная упаковка шт. | 50 |
Включенная служба передачи радиоданных | 25 mOhm @ 35.4A, 10V |
Характеристики полевого транзистора | Standard |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 5.5V @ 250??A |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 100V |
Модули обучения обращения с продуктами |
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
Заряд затвора | 114nC @ 10V |
Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 2450pF @ 25V |
Техническое описание |
IRFB59N10DPbF, IRFS(L)59N10DPbF |
Максимальная мощность | 3.8W |
Упаковка | Tube |
Поставляемая упаковка продукта | D2PAK |
Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 59A (Tc) |
Категория в каталоге | N-Channel Standard FETs |
Категория | Discrete Semiconductor Products |
Тип крепления | Surface Mount |
Альтернативные названия | *IRFS59N10DPBF |
Группа | FETs - Single |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
Товаров
КОРЗИНА ПУСТА