IRFS3206TRRPBF
IRFS3206TRRPBF
1817
MOSFET N-CH 60V 120A D2PAK
Объем заказа | Цена за единицу |
---|---|
1 | $6.74 |
10 | $6.02 |
100 | $4.94 |
Технические характеристики
Максимальная мощность | 300W |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 60V |
Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 120A (Tc) |
Категория | Discrete Semiconductor Products |
Кейс\упаковка | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 6540pF @ 50V |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 150µA |
Группа | FETs - Single |
Установка персональной сети передачи данных |
Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 |
Включенная служба передачи радиоданных | 3 mOhm @ 75A, 10V |
Техническое описание |
IRFB3206PbF, IRFS(L)3206PbF |
Ресурсы исполнения |
IRFB3206PBF Saber Model IRFB3206PBF Spice Model |
Поставляемая упаковка продукта | D2PAK |
Модули обучения обращения с продуктами |
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
Тип крепления | Surface Mount |
Заряд затвора | 170nC @ 10V |
Характеристики полевого транзистора | Standard |
Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серии | HEXFET® |
Минимальная упаковка шт. | 1 |
Альтернативные названия | IRFS3206TRRPBFCT |
Упаковка | Cut Tape (CT) |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
Товаров
КОРЗИНА ПУСТА