IRFR9N20DTRPBF
IRFR9N20DTRPBF
2000
MOSFET N-CH 200V 9.4A DPAK
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 2000 | $0.96 |
Технические характеристики
| Заряд затвора | 27nC @ 10V |
| Техническое описание |
IRFR9N20DPbF, IRFU9N20DPbF |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 9.4A (Tc) |
| Характеристики полевого транзистора | Standard |
| Минимальная упаковка шт. | 2,000 |
| Серии | HEXFET® |
| Поставляемая упаковка продукта | D-Pak |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 560pF @ 25V |
| Альтернативные названия | IRFR9N20DTRPBF-ND IRFR9N20DTRPBFTR |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 200V |
| Группа | FETs - Single |
| Упаковка | Tape & Reel (TR) |
| Максимальная мощность | 86W |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Включенная служба передачи радиоданных | 380 mOhm @ 5.6A, 10V |
| Модули обучения обращения с продуктами |
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| Кейс\упаковка | TO-252-3, DPak (2 Leads + Tab), SC-63 |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5.5V @ 250µA |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
