IRFHM8326TRPBF
IRFHM8326TRPBF
229
MOSFET N-CH 30V 25A PQFN
Объем заказа | Цена за единицу |
---|---|
1 | $1.54 |
10 | $1.29 |
1000 | $0.55 |
Технические характеристики
Альтернативные названия | IRFHM8326TRPBFCT |
Техническое описание |
IRFHM8326PbF |
Кейс\упаковка | 8-PowerTDFN |
Максимальная мощность | 2.8W |
Поставляемая упаковка продукта | * |
Категория | Discrete Semiconductor Products |
Заряд затвора | 39nC @ 10V |
Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 2496pF @ 10V |
Тип крепления | Surface Mount |
Установка персональной сети передачи данных |
Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 Assembly Site Transfer 15/Oct/2014 |
Включенная служба передачи радиоданных | 4.7 mOhm @ 20A, 10V |
Модули обучения обращения с продуктами |
Discrete Power MOSFETs 40V and Below |
Группа | FETs - Single |
Минимальная упаковка шт. | 1 |
Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 19A (Ta) |
Серии | HEXFET® |
Характеристики полевого транзистора | Standard |
Упаковка | Cut Tape (CT) |
Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 30V |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.2V @ 50µA |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
Товаров
КОРЗИНА ПУСТА