IRFH6200TRPBF
IRFH6200TRPBF
6614
MOSFET N-CH 20V 45A 8-PQFN
Объем заказа | Цена за единицу |
---|---|
1 | $3.66 |
10 | $3.30 |
1000 | $1.71 |
Технические характеристики
Кейс\упаковка | 8-PowerVDFN |
Серии | HEXFET® |
Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
Поставляемая упаковка продукта | PQFN (5x6) |
Заряд затвора | 230nC @ 4.5V |
Категория | Discrete Semiconductor Products |
Модули обучения обращения с продуктами |
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below |
Группа | FETs - Single |
Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 10890pF @ 10V |
Упаковка | Digi-Reel® |
Минимальная упаковка шт. | 1 |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 1.1V @ 150µA |
Максимальная мощность | 3.6W |
Тип крепления | Surface Mount |
Включенная служба передачи радиоданных | 0.99 mOhm @ 50A, 4.5V |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 20V |
Ресурсы исполнения |
IRFH6200TR2PBF Saber Model IRFH6200TR2PBF Spice Model |
Альтернативные названия | IRFH6200TRPBFDKR |
Техническое описание |
IRFH6200PBF |
Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Установка персональной сети передачи данных |
Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Additional Assembly Site 23/Jul/2014 |
Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 49A (Ta) |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
Товаров
КОРЗИНА ПУСТА