IRFB61N15DPBF
IRFB61N15DPBF
MOSFET N-CH 150V 60A TO-220AB
Объем заказа | Цена за единицу |
---|---|
1 | $5.78 |
50 | $4.66 |
1000 | $2.70 |
Технические характеристики
Vgs(th) (макс.) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Минимальная упаковка шт. | 50 |
Заряд затвора | 140nC @ 10V |
Максимальная мощность | 2.4W |
Категория | Discrete Semiconductor Products |
Поставляемая упаковка продукта | TO-220AB |
Ресурсы исполнения |
IRFB61N15DPBF Saber Model IRFB61N15DPBF Spice Model |
Кейс\упаковка | TO-220-3 |
Упаковка | Tube |
Альтернативные названия | *IRFB61N15DPBF |
Техническое описание |
IRFB61N15DPbF |
Тип крепления | Through Hole |
Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 60A (Tc) |
Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 3470pF @ 25V |
Серии | HEXFET® |
Модули обучения обращения с продуктами |
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Включенная служба передачи радиоданных | 32 mOhm @ 36A, 10V |
Группа | FETs - Single |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 150V |
Характеристики полевого транзистора | Standard |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
Товаров
КОРЗИНА ПУСТА