IRFB41N15DPBF
IRFB41N15DPBF
1109
MOSFET N-CH 150V 41A TO-220AB
Объем заказа | Цена за единицу |
---|---|
1 | $5.12 |
10 | $4.62 |
1000 | $2.39 |
Технические характеристики
Кейс\упаковка | TO-220-3 |
Серии | HEXFET® |
Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 2520pF @ 25V |
Максимальная мощность | 200W |
Включенная служба передачи радиоданных | 45 mOhm @ 25A, 10V |
Группа | FETs - Single |
Минимальная упаковка шт. | 50 |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 150V |
Упаковка | Tube |
Заряд затвора | 110nC @ 10V |
Тип крепления | Through Hole |
Альтернативные названия | *IRFB41N15DPBF |
Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Техническое описание |
IRF(I)B / IRFS(L)_41N15DPbF |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 5.5V @ 250µA |
Поставляемая упаковка продукта | TO-220AB |
Категория | Discrete Semiconductor Products |
Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 41A (Tc) |
Характеристики полевого транзистора | Standard |
Модули обучения обращения с продуктами |
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
Товаров
КОРЗИНА ПУСТА