IRFB3206GPBF
IRFB3206GPBF
1065
MOSFET N-CH 60V 120A TO220AB
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $5.94 |
| 10 | $5.37 |
| 1000 | $2.78 |
Технические характеристики
| Модули обучения обращения с продуктами |
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| Характеристики полевого транзистора | Standard |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Кейс\упаковка | TO-220-3 |
| Поставляемая упаковка продукта | TO-220AB |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 6540pF @ 50V |
| Техническое описание |
IRFB3206GPbF |
| Минимальная упаковка шт. | 50 |
| Заряд затвора | 170nC @ 10V |
| Включенная служба передачи радиоданных | 3 mOhm @ 75A, 10V |
| Установка персональной сети передачи данных |
Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Упаковка | Tube |
| Серии | HEXFET® |
| Тип крепления | Through Hole |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 150µA |
| Максимальная мощность | 300W |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 60V |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 120A (Tc) |
| Группа | FETs - Single |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
