IRF9Z24NSTRLPBF
IRF9Z24NSTRLPBF
2565
MOSFET P-CH 55V 12A D2PAK
Объем заказа | Цена за единицу |
---|---|
1 | $3.20 |
10 | $2.84 |
100 | $2.24 |
Технические характеристики
Категория | Discrete Semiconductor Products |
Альтернативные названия | IRF9Z24NSTRLPBFCT |
Максимальная мощность | 3.8W |
Кейс\упаковка | TO-263-3, D²Pak (2 Leads + Tab), TO-263AB |
Минимальная упаковка шт. | 1 |
Группа | FETs - Single |
Характеристики полевого транзистора | Standard |
Упаковка | Cut Tape (CT) |
Техническое описание |
IRF9Z24NSPbF(NLPBF) |
Тип полевого транзистора | MOSFET P-Channel, Metal Oxide |
Заряд затвора | 19nC @ 10V |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 55V |
Серии | HEXFET® |
Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 350pF @ 25V |
Модули обучения обращения с продуктами |
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 12A (Tc) |
Включенная служба передачи радиоданных | 175 mOhm @ 7.2A, 10V |
Поставляемая упаковка продукта | D2PAK |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 4V @ 250µA |
Установка персональной сети передачи данных |
Alternate Assembly Site 11/Nov/2013 D2PAK Additional Assembly Site 17/Dec/2013 |
Тип крепления | Surface Mount |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
Товаров
КОРЗИНА ПУСТА