IRF7855PBF
IRF7855PBF
634
MOSFET N-CH 60V 12A 8-SOIC
Объем заказа | Цена за единицу |
---|---|
1 | $3.64 |
10 | $3.30 |
1000 | $1.71 |
Технические характеристики
Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.9V @ 100µA |
Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Заряд затвора | 39nC @ 10V |
Техническое описание |
IRF7855PbF |
Группа | FETs - Single |
Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 1560pF @ 25V |
Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 12A (Ta) |
Установка персональной сети передачи данных |
Mosfet Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 |
Категория | Discrete Semiconductor Products |
Модули обучения обращения с продуктами |
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
Минимальная упаковка шт. | 95 |
Серии | HEXFET® |
Упаковка | Tube |
Тип крепления | Surface Mount |
Максимальная мощность | 2.5W |
Кейс\упаковка | 8-SOIC (0.154", 3.90mm Width) |
Поставляемая упаковка продукта | 8-SO |
Характеристики полевого транзистора | Standard |
Ресурсы исполнения |
IRF7855PBF Saber Model IRF7855PBF Spice Model |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 60V |
Включенная служба передачи радиоданных | 9.4 mOhm @ 12A, 10V |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
Товаров
КОРЗИНА ПУСТА