IRF7779L2TRPBF
IRF7779L2TRPBF
10957
MOSFET N-CH 150V DIRECTFET L8
| Объем заказа | Цена за единицу |
|---|---|
| 1 | $11.74 |
| 10 | $10.48 |
| 1000 | $5.87 |
Технические характеристики
| Группа | FETs - Single |
| Поставляемая упаковка продукта | DIRECTFET L8 |
| Характеристики полевого транзистора | Standard |
| Техническое описание |
IRF7779L2TR(1)PBF |
| Включенная служба передачи радиоданных | 11 mOhm @ 40A, 10V |
| Серии | HEXFET® |
| Установка персональной сети передачи данных |
DirectFET Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Wafer Fab Transfer 06/May/2014 |
| Напряжение сток-исток (Vdss) | 150V |
| Рекомендуемый продукт |
IR - Large Can DirectFET® MOSFETs |
| Максимальная мощность | 3.3W |
| Vgs(th) (макс.) @ Id | 5V @ 250µA |
| Ресурсы исполнения |
IRF7779L2TR1PBF Saber Model IRF7779L2TR1PBF Spice Model |
| Упаковка | Cut Tape (CT) |
| Кейс\упаковка | DirectFET™ Isometric L8 |
| Минимальная упаковка шт. | 1 |
| Заряд затвора | 150nC @ 10V |
| Категория | Discrete Semiconductor Products |
| Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
| Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 375A (Tc) |
| Тип крепления | Surface Mount |
| Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 6660pF @ 25V |
| Модули обучения обращения с продуктами |
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
| Альтернативные названия | IRF7779L2TRPBFCT |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
