IRF6718L2TRPBF
IRF6718L2TRPBF
4376
MOSFET N-CH 25V 61A DIRECTFET L6
Объем заказа | Цена за единицу |
---|---|
1 | $8.38 |
10 | $7.48 |
1000 | $4.19 |
Технические характеристики
Включенная служба передачи радиоданных | 0.7 mOhm @ 61A, 10V |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 2.35V @ 150µA |
Чертёж |
IR Hexfet Circuit |
Минимальная упаковка шт. | 1 |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 25V |
Максимальная мощность | 4.3W |
Альтернативные названия | IRF6718L2TRPBFCT |
Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Установка персональной сети передачи данных |
DirectFET Backend Wafer Processing 23/Oct/2013 Additional Fab Site 07/Apr/2014 |
Заряд затвора | 96nC @ 4.5V |
Техническое описание |
IRF6718L2TR(1)PbF |
Категория | Discrete Semiconductor Products |
Тип крепления | Surface Mount |
Ресурсы исполнения |
IRF6718L2TR1PBF Saber Model IRF6718L2TR1PBF Spice Model |
Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 6500pF @ 13V |
Модули обучения обращения с продуктами |
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) Discrete Power MOSFETs 40V and Below |
Кейс\упаковка | DirectFET™ Isometric L6 |
Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 61A (Ta), 270A (Tc) |
Группа | FETs - Single |
Поставляемая упаковка продукта | DIRECTFET L6 |
Упаковка | Cut Tape (CT) |
Устаревание персональной сети передачи данных\конец линии |
Multiple Devices 20/Dec/2013 |
Характеристики полевого транзистора | Logic Level Gate |
Серии | HEXFET® |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
КОРЗИНА ПУСТА