IRF6643TRPBF
IRF6643TRPBF
4800
MOSFET N-CH 150V 6.2A DIRECTFET
Объем заказа | Цена за единицу |
---|---|
1 | $4.64 |
10 | $4.19 |
1000 | $2.17 |
Технические характеристики
Минимальная упаковка шт. | 1 |
Тип полевого транзистора | MOSFET N-Channel, Metal Oxide |
Серии | HEXFET® |
Максимальная мощность | 2.8W |
Ресурсы исполнения |
IRF6643TR1PBF Saber Model IRF6643TR1PBF Spice Model |
Тип крепления | Surface Mount |
Модули обучения обращения с продуктами |
High Voltage Integrated Circuits (HVIC Gate Drivers) |
Упаковка | Cut Tape (CT) |
Включенная служба передачи радиоданных | 34.5 mOhm @ 7.6A, 10V |
Группа | FETs - Single |
Входная ёмкость (Ciss) @ Vds | 2340pF @ 25V |
Чертёж |
IR Hexfet Circuit |
Vgs(th) (макс.) @ Id | 4.9V @ 150µA |
Техническое описание |
IRF6643TRPbF |
Заряд затвора | 55nC @ 10V |
Характеристики полевого транзистора | Standard |
Альтернативные названия | IRF6643TRPBFCT |
Другая система персональной связи |
MSL Update 20/Feb/2014 |
Кейс\упаковка | DirectFET™ Isometric MZ |
Категория | Discrete Semiconductor Products |
Поставляемая упаковка продукта | DIRECTFET™ MZ |
Напряжение сток-исток (Vdss) | 150V |
Установка персональной сети передачи данных |
Backend Wafer Transfer 23/Oct/2013 |
Напряжение - Постоянный сток @ 25°C | 6.2A (Ta), 35A (Tc) |
Данный компонент Вы можете заказать через наш веб сайт, или отправить нам запрос на емал,
или можете связаться с нами по телефону: + 7 (495) 649-69-13
Для заказа компонентов на нашем сайте необходимо зарегистрироваться, после регистрации,
Вы сможете сформировать заказ.
!!! Внимание: для товара может быть несколько вариантов цен в зависимости от обьема заказа.
При заказе компонентов на сумму менее 300$ , сумма счета увеличивается на 50$
Товаров
КОРЗИНА ПУСТА